晶體管工作原理

　　利用半導體的特性，每個管子工作原理個不同，你可以找機電方面的書看下。下圖中的S是指源極（Source），D是指漏極（Drain），G是柵極（Gate）。晶體管的工作原理其實很簡單，就是用兩個狀態(tài)表示二進制的“0”和“1”。

　　源極和漏極之間是溝道，當沒有對柵極（G）施加電壓的時候，溝道中不會聚集有效的電荷，源極（S）和漏極（S）之間不會有有效電流產生，晶體管處于關閉狀態(tài)。可以把這種關閉的狀態(tài)解釋為“0”。 當對柵極（G）施加電壓的時候，溝道中會聚集有效的電荷，形成一條從源極（S）到漏極（D）導通的通道，晶體管處于開啟狀態(tài)，可以把這種狀態(tài)解釋為“1”。這樣二進制的兩個狀態(tài)就由晶體管的開啟和關閉狀態(tài)表示出來了。

　　場效應晶體管工作原理

　　場效應晶體管，英語名稱為Field Effect Transistor，簡稱為場效應管，是一種通過對輸入回路電場效應的控制來控制輸出回路電流的器件。可分為結型和絕緣柵型、增強型和耗盡型、N溝道和P溝道，接下來我們就以N溝道結型場效應管為例來對場效應管的工作原理進行說明。

　　對應于三極管的基極、集電極和發(fā)射極，場效應管分別是柵極、漏極和源極。在其柵-源間加負向電壓、漏-源間加正向電壓以保證場效應管可以正常工作。所加負向電壓越大，在PN結處所形成的耗盡區(qū)越厚，導電溝道越窄，溝道電阻越大，漏極電流越小;反之，所加負向電壓越小，在PN結處所形成的耗盡區(qū)越薄，導電溝道越厚，溝道電阻越小，漏極電流越大。由此通過控制柵-源間所加負向電壓完成了對溝道電流的控制。