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        2. 

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                2. 

	
                
	  
                
	    

	    
                
	
                
	
	 
                
	
                

	131 1300 0010	  
                
	    
                
	  
                
	
                
	



                

                
  
                
    
                100V系列
                
    
  
                

                

                
  
                
    
              2. 導航欄目
                3. 


    	
              3. 場效應管/MOSFET

                4. 
	
              4. 快速恢復二極管/FRED

                5. 
	
              5. 肖特基二極管/SBD

                6. 
	
              6. LOW VF肖特基二極管

                7. 
	
              7. 整流橋堆/BR

                8. 
	
              8. 穩(wěn)壓二極管/ZD

                9. 
	
              9. 整流二極管/RD

                10. 
	
              10. 其他元件/OTHER

                11. 

    
                 RY59N10C 
                
    
                 RY59N10C 
                
  
                


  
                

      
                

        
                RY59N10C
                

        
                發(fā)布者：日月辰科技
                

        
                

          
                

            
                

              
                		

              
                規(guī)格型號
                		

               RY59N10C

            
                

            
                

              

            
                

            
                

              
                產(chǎn)品參數(shù)
                		

              電壓：100V，電流：59A，Vgs：20V，Rds：0.015Ω 

            
                

            
                

              

            
                

            
                

              
                產(chǎn)品品牌
                		

              日月辰

              
                產(chǎn)品封裝
                		

              TO-220


            
                

            
                

              
                		

              
                		

              
                		

            
                

            
                

              

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                詳細說明
                		

              

              

              

            
                

          
                

          
                
          
                RY59N10C TO-220封裝
                

                

                
	Description
                

                
	This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
                

                
	Features
                

                
	1) VDS=100V,ID=59A,RDS(ON)<15mΩ@VGS=10V
                

                
	2) Low gate charge.
                

                
	3) Green device available.
                

                
	4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON). 
                

                
	5) Excellent package for good heat dissipation.
                

                	
                

   產(chǎn)品PDF資料下載：
     
                

   
                

	 
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深圳市日月辰科技有限公司
                

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    手機：131 1300 0010
                
	
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