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              8. 開關穩(wěn)壓器LT8645S的超低EMI/EMC輻射設計
                開關穩(wěn)壓器LT8645S的超低EMI/EMC輻射設計
              9. 開關穩(wěn)壓器LT8645S的超低EMI/EMC輻射設計
              10.   發(fā)布日期: 2019-03-12  瀏覽次數(shù): 1,724

                加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和馬薩諸塞州諾伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年 4 月 25 日 – 亞德諾半導體 (Analog Devices, Inc.,簡稱 ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 8A、65V 輸入同步降壓型開關穩(wěn)壓器 LT8645S。其獨特的 Silent Switcher 2 架構采用兩個內(nèi)部輸入電容器以及內(nèi)部 BST 和 INTVCC 電容器,以最大限度減小熱環(huán)路面積。結合非常良好受控的開關邊沿和一種具有整體接地平面的內(nèi)部構造,并采用銅柱代替了接合線,LT8645S 的設計大幅度地降低了 EMI / EMC 輻射。這種改善的 EMI / EMC 性能不容易受到電路板布局的影響,從而簡化了設計和降低了風險,即使在使用兩層 PC 板時也不例外。在整個負載范圍內(nèi)開關頻率為 2MHz 的情況下,LT8645S 可以非常容易地滿足汽車 CISPR 25 的 Class 5 峰值 EMI 限制。該器件也提供了擴展頻譜頻率調(diào)制功能,以進一步降低 EMI / EMC 的值。

                LT8645S 的同步整流在 2MHz 開關頻率時提供高達 94% 的效率。其 3.4V 至 65V 輸入電壓范圍非常適合雙電池運輸、 48V 汽車和工業(yè)應用。內(nèi)部高效率開關可向低至 0.97V 的電壓提供高達 8A 的連續(xù)輸出電流。LT8645S 的突發(fā)模式 (Burst Mode) 運行提供僅為 2.5μA 的靜態(tài)電流,非常適合汽車 / 運輸中的始終保持接通系統(tǒng)等應用,因為這類應用需要延長電池運行壽命。LT8645S 獨特的設計可在所有條件下保持僅為 60mV (在 1A) 的最低壓差電壓,從而使該器件能夠在汽車冷車發(fā)動等情況下表現(xiàn)出色。此外,僅為 40ns 的快速最短接通時間實現(xiàn)了從 24V 輸入到 2.0V 輸出的 2MHz 恒定頻率切換,從而使設計師能夠優(yōu)化效率,同時避開關鍵噪聲敏感頻段。LT8645S 的 32 引線、4mm x 6mm LQFN 封裝和高開關頻率允許使用小型外部電感器和電容器,因此可構成占板面積緊湊和高熱效率的解決方案。

                 

                LT8645S 采用了內(nèi)部頂端和底端高效率電源開關,并把必要的升壓二極管振蕩器、控制和邏輯電路集成在單顆芯片中。低紋波突發(fā)模式運行在低輸出電流時保持高效率,同時保持輸出紋波低于 10mVP-P。就需要以最低噪聲運行的應用而言,LT8645S 可設定為以脈沖跳躍模式運行。其開關頻率在 200kHz 至 2.2MHz 范圍內(nèi)是可編程和可同步的。特殊設計方法和新的高速工藝使該器件在很寬的輸入電壓范圍內(nèi)實現(xiàn)了高效率,而且 LT8645 的電流模式拓撲實現(xiàn)了快速瞬態(tài)響應和卓越的環(huán)路穩(wěn)定性。其他特點包括內(nèi)部補償、電源良好標記、輸出軟啟動 / 跟蹤和過熱保護。

                LT8645SEV 采用 4mm x 6mm LQFN 封裝。工業(yè)溫度級版本 LT8645SIV 經(jīng)過測試,可在 –40°C 至 125°C 工作結溫范圍內(nèi)保證運行。千片批購價為每片 5.95 美元,兩種版本均有現(xiàn)貨供應。

                開關穩(wěn)壓器LT8645S的超低EMI/EMC輻射設計

                照片說明:65V、8A (IOUT)、2.2MHz 同步降壓型穩(wěn)壓器具更低的 EMI / EMC 輻射且遠低于 CISPR 25 Class 5 的限制

                性能概要: LT8645S

                Silent Switcher 2 架構

                在任何 PCB 上均具超低 EMI / EMC 輻射

                消除了 PCB 布局敏感性

                用于 VIN、BST、INTVCC 的內(nèi)部電容器降低了 EMI 輻射

                擴展頻譜頻率調(diào)制

                ·在高頻時提供高效率

                ·1MHz 時效率高達 95%

                ·2MHz 時效率高達 94%

                ·寬輸入電壓范圍:3.4V 至 65V

                ·8A 最大連續(xù)輸出電流

                ·超低靜態(tài)電流突發(fā)模式運行

                2.5μA IQ 調(diào)節(jié) 12VIN 至 3.3VOUT

                輸出紋波 < 10mVP-P

                ·快速最短開關接通時間:40ns

                ·在所有條件下均可實現(xiàn)低壓差:60mV (在 1A)

                ·可編程脈沖跳躍模式

                可在過載情況下安全地承受電感器飽和

                可調(diào)和可同步:200kHz 至 2.2MHz

                輸出軟啟動和跟蹤

                小型 32 引線 4mm x 6mm LQFN 封裝

                本文給出的報價僅供預算之用。各地報價可能因當?shù)仃P稅、各種稅款、費用以及匯率不同而有所分別。

                3月10日,ADI完成對卓越的高性能模擬集成電路公司凌力爾特之收購。收購凌力爾特之后,ADI 進一步增強了技術實力。


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