日本田中貴金屬工業(yè)公司和S.E.I公司2016年4月4日宣布，使用含有金顆粒（0.1μm級）的低溫接合材料“AuRoFUSE”，開發(fā)出了可滿足高輸出功率要求的LED模塊。LED照明在亮燈時產生的熱量的影響下，輸出功率會下降，因此，LED模塊存在如何提高散熱性的問題。而此次的新產品解決了這一問題。

　　模塊示例。照片出自和光電研及S.E.I。

　　具體方法是，使用AuRoFUSE作為接合材料進行倒裝芯片鍵合，而不是目前的主流方式——引線鍵合。倒裝芯片鍵合是利用突起的端子（凸塊）以電氣方式將芯片連接到引線框架及基板上的方法，直接將LED芯片接合到基板上，作為熱源的發(fā)光面靠近基板，因此容易使熱量散發(fā)。另外，通過去掉引線，不僅可省去引線占用的空間，實現(xiàn)小型化，而且還可提高電氣特性。

　　新開發(fā)的模塊的構造。圖片出自田中貴金屬和S.E.I。

　　不過，以往在進行倒裝芯片鍵合時，必須在基板上使用昂貴的氮化鋁。這是因為價格低廉的金屬基板與LED芯片的熱膨脹系數(shù)存在很大差異，接合處容易破損。而在此次的技術中，作為接合材料的AuRoFUSE含有金顆粒，這些金顆粒可緩和熱膨脹時的變形，因此可使用價格低廉的金屬基板。憑借這一技術，便可實現(xiàn)LED模塊的高輸出功率化和小型化。

　　田中貴金屬將在2016年4月6日于東京有明國際會展中心舉行的“日本第3屆高功能金屬展”上，通過該公司的展臺展出此次的LED模塊。該公司今后的目標是，將該LED模塊的用途范圍擴展至進出口冷凍倉庫以及可利用小型化優(yōu)點的車載照明等領域。