PN8161高性能準諧振交直流轉(zhuǎn)換芯片內(nèi)部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，專用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能，下面跟隨芯朋微一級代理驪微電子小編一起來看看。



PN8161功能描述:

1. 啟動：

在啟動階段，內(nèi)部高壓啟動管提供1mA電流對外部V DD 電容進行充電。當V DD 電壓達到 VDDon ，芯片開始工作；高壓啟動管停止對V DD 電容充電。啟動過程結(jié)束后，變壓器輔助繞組對V DD 電容提供能量。



2. 軟啟動

啟動階段，漏極的最大峰值電流限制逐步的提高；可以大大減小器件的應(yīng)力，防止變壓器飽和。軟啟動時間典型值為3.2ms。



3. 輸出驅(qū)動

PN8161采用優(yōu)化的圖騰柱結(jié)構(gòu)驅(qū)動技術(shù)，通過合理的輸出驅(qū)動能力以及死區(qū)時間，得到較好的EMI特性和較低損耗。



4. 谷底開通

PN8161是一款工作于準諧振模式的集成芯片，通過DMG檢測到的消磁信號實現(xiàn)精確谷底開

通，以提高系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效率。在PWM模式，由第一谷底產(chǎn)生開啟信號，工作頻率由系統(tǒng)設(shè)計的變壓器參數(shù)決定，最高工作頻率限制在125kHz。



5. 降頻工作模式

PN8161提供降頻工作模式，通過檢測FB腳電壓，在輕載和空載條件下降低開關(guān)頻率以提高輕載效率。當FB腳電壓小于 V FB_PFM ，芯片進入降頻工作模式，開關(guān)頻率隨負載降低而降低，直至最小頻率25kHz。



6. 間歇工作模式

極輕載時，PN8161進入間隙工作模式以減小待機功耗。當負載減輕，反饋電壓減小；當FB腳電壓小于 V FB_BM ，芯片進入間歇工作模式，功率管關(guān)斷。當FB腳超過 V FB_BM +V FB_BM_HYS 時，開關(guān)管再次導(dǎo)通。



7. 過載保護

負載電流超過預(yù)設(shè)定值時，系統(tǒng)會進入過載保護；在異常情況下，可對系統(tǒng)進行保護。當V FB 電壓超過4.4V，經(jīng)過固定60ms的延遲時間，開關(guān)模式停止。



8. 過溫保護

功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制電路更易于檢測MOSFET的溫度。當溫度超

145℃，芯片進入過溫保護狀態(tài)。



PN8161通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實現(xiàn)了超低的待機功耗、全電壓范圍下的最佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和SoftDriver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)，驪微電子代理的PN8161廣泛被應(yīng)用于充電器、適配器、開放式開關(guān)電源等領(lǐng)域。